硬核“双芯”全面升级，时创意焕新首秀燃动elexcon2023

8月23-25日，elexcon2023深圳国际电子展在深圳会展中心盛大启幕，现场汇聚了全球存储企业的前沿技术与尖端产品。时创意以xa0"芯突破·创未来"xa0为主题，携旗下嵌入式存储芯片、SSD固态硬盘、DRAM内存模组、企业级存储及移动存储产品共襄盛会，全方位展现存储矩阵产品及先进技术解决方案，彰显硬核“芯”实力。其中，会上首发的LPDDR5、UFS3.1备受瞩目，现场吸引了众多客户来访参观与洽谈。

硬核“双芯”迭代升级，嵌入式再添“生力军”

“小而精、低功耗、高性能”，是时创意嵌入式存储芯片的特点。近年来，公司紧跟主流应用需求自主研发ePOP、eMCP、eMMC、LPDDR、UFS等嵌入式存储产品，系列产品具备优于市场部分产品的出色性能，持续为客户提供更具竞争力的存储解决方案。尤其是LPDDR5、UFS3.1的全新发布，更是使公司在原有完备的通用型存储器产品线之上再跨新台阶。

本次会上发布的LPDDR5，是在LPDDR4/4X产品的基础上迭代升级，拥有更高性能、更低功耗与更多容量选择。该产品兼备高性能与低功耗，支持多Bank Group模式，采用WCK信号设计，传输速率从4266Mbps提升至6400Mbps，可提供高达51Gbps带宽；多组电压动态调节，工作电压低至0.5V，并引入数据复制（Data-Copy）和写X（Write-X）技术以降低功耗。时创意LPDDR5相较LPDDR4/4X性能提升达50%，功耗降低30%，是适用于高性能智能手机、平板电脑与各类移动智能终端的优选存储方案。

UFS3.1，聚焦于新一代高端移动设备的应用场景。其采用filpchip 8 die堆叠工艺，搭配全自研软固件架构，顺序读取速度、写入速度分别可达1800MB/s、1000MB/s，理论带宽2.9GB/s，128GB~1TB存储容量可选，尺寸仅为11.5x13x1.0mm。由于增加了写入增强器、深度睡眠、性能调整通知等技术，支持UFS 3.1的应用端实际性能将更高、更稳定，功耗降低也使电池续航时间更持久。时创意UFS3.1相较UFS 2.2整体配置上有着较大提升，有效满足5G时代下数据传输的低延迟、高频宽、稳定可靠等需求。

固态硬盘厚积薄发，S7000xa0Pro强势突围

视线移至SSD固态硬盘展区，公司通过批量产出S3000、S5000、S7000等系列产品逐步导入市场，产品渗透率不断提升，近年维持快速发展态势，助推整体业绩稳步增长。PCIe 4.0 SSD S7000 Pro是其推进技术创新的又一力作，产品顺序读写速度高达7400MB/s、6700MB/s，DRAM-base设计可大幅提升4K随机读写性能，支持PCIexa0L1.2低功耗模式，导流式散热马甲可保证散热效果更佳，4TB大容量解决了存储空间远低于机械硬盘的用户痛点且寿命更长久。大浪淘沙始见金，时创意SSD系列产品历经市场的反复检验，广获客户的高度认可与青睐。

时创意SSD固态硬盘的突出优势在于，一是依托自主研发能力，产品在高效能要求下会有更稳定的表现；二是公司构建了从Wafer封装到模组生产的存储芯片完整产业链体系，在从颗粒封装、测试，再到成品制造的过程中效率得到显著提高，极大缩短交付周期，品质和成本也得到更好管控。

内存模组持续发力，新晋产品亮点凸显

时创意团队此时正在向来宾详细推介的是DRAM内存模组产品及解决方案，双方就技术亮点展开深度探讨与交流。DDR5模组内存，传输速率高达6400Mhz，容量高达64GB，内置PMIC电源管理芯片与On-die ECC功能令设备运行更稳定，且兼容Intel与AMD平台。其中，DDR5 UDIMM支持定制的Intel XMP 3.0xa0与 AMD EXPO一键超频技术，更是将笔记本、一体机等客户端体验推至更高水准。

时创意品牌焕新线下首秀，与行业菁英共话潜在机遇、前瞻行业未来。自成立以来，公司始终坚定高质量发展之路，对内加强人才建设、推进核心技术及产品研发攻关，发挥自身竞争优势、巩固发展根基，全面提升产品附加值；对外通过与产业链上下游企业稳健协同，确保供货稳定性、质量一致性与交付及时性。未来，时创意将不断深化从存储芯片研发、封装测试到模组制造的全产业链战略布局，进一步提升自主研发与封测能力，持续为全球客户提供一站式存储解决方案和产品定制化服务。

现场合影留念