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在8月23日至25日举行的elexcon2023深圳国际电子展上,全球存储企业的前沿技术与尖端产品汇聚一堂,共襄盛会。时创意以“芯突破·创未来”为主题,携旗下嵌入式存储芯片、SSD固态硬盘、DRAM内存模组、企业级存储及移动存储产品惊艳亮相,全方位展现了其存储矩阵产品及先进技术解决方案,彰显了硬核“芯”实力。
硬核“双芯”迭代,引领嵌入式存储新潮流
时创意的嵌入式存储芯片以“小而精、低功耗、高性能”著称。近年来,公司紧跟主流应用需求,自主研发了ePOP、eMCP、eMMC、LPDDR、UFS等一系列嵌入式存储产品,性能优于市场同类产品,持续为客户提供更具竞争力的存储解决方案。此次展会,LPDDR5和UFS3.1的全新发布更是吸引了众多目光。
LPDDR5在LPDDR4/4X的基础上迭代升级,拥有更高性能、更低功耗与更多容量选择。其支持多Bank Group模式,采用WCK信号设计,传输速率提升至6400Mbps,可提供高达51Gbps带宽;多组电压动态调节,工作电压低至0.5V,并引入数据复制和写X技术以降低功耗。LPDDR5相较LPDDR4/4X性能提升50%,功耗降低30%,是高性能智能手机、平板电脑与移动智能终端的优选方案。
UFS3.1则聚焦于新一代高端移动设备的应用场景。采用filpchip 8 die堆叠工艺与全自研软固件架构,顺序读取速度、写入速度分别可达1800MB/s、1000MB/s,理论带宽2.9GB/s,存储容量可选128GB~1TB,尺寸紧凑。UFS3.1增加了写入增强器、深度睡眠、性能调整通知等技术,使应用端性能更高、更稳定,功耗降低,电池续航时间更持久。相较UFS 2.2,UFS3.1整体配置大幅提升,有效满足5G时代数据传输的低延迟、高频宽、稳定可靠需求。
SSD固态硬盘:厚积薄发,S7000 Pro强势登场
在SSD固态硬盘展区,时创意通过批量产出S3000、S5000、S7000等系列产品逐步导入市场,产品渗透率不断提升,近年维持快速发展态势。PCIe 4.0 SSD S7000 Pro是其技术创新的又一力作,顺序读写速度高达7400MB/s、6700MB/s,DRAM-base设计大幅提升4K随机读写性能,支持PCI-E L1.2低功耗模式,导流式散热马甲保证散热效果更佳。4TB大容量解决了存储空间痛点且寿命更长久,广受客户认可。
时创意SSD固态硬盘的突出优势在于自主研发能力和完整产业链体系。依托自主研发,产品在高效能要求下表现更稳定;从Wafer封装到模组生产的完整产业链体系,显著提高效率,缩短交付周期,品质和成本得到更好管控。
DRAM内存模组:新晋产品亮点频现
展会现场,时创意团队详细推介了DRAM内存模组产品及解决方案,双方就技术亮点展开深度探讨与交流。DDR5模组内存传输速率高达6400Mhz,容量高达64GB,内置PMIC电源管理芯片与On-die ECC功能使设备运行更稳定,兼容Intel与AMD平台。DDR5 UDIMM支持定制的Intel XMP 3.0与AMD EXPO一键超频技术,将客户端体验推至更高水准。
时创意品牌焕新,共话未来
此次展会也是时创意品牌焕新的线下首秀。自成立以来,公司始终坚定高质量发展之路,加强人才建设,推进核心技术及产品研发攻关,发挥竞争优势,巩固发展根基,全面提升产品附加值。同时,与产业链上下游企业稳健协同,确保供货稳定性、质量一致性与交付及时性。未来,时创意将进一步深化从存储芯片研发、封装测试到模组制造的全产业链战略布局,提升自主研发与封测能力,持续为全球客户提供一站式存储解决方案和产品定制化服务。